導熱系數高達170W/m·K,有效降低芯片 工作溫度。
優(yōu)異的介電強度 保障電路穩(wěn)定可靠。
適用于高達800℃的極 端環(huán)境,性能穩(wěn)定。
支持激光打孔、金屬化、 沉金等高端工藝。
可選氧化鋁、氮化鋁、Si?N? 等多種陶瓷基材。
嚴格工藝控制 + 完善測試流程,出貨更安心。
![]() |
氧化鋁陶瓷 Al?O? | 氮化鋁陶瓷 AlN | 氮化硅陶瓷 Si?N? |
![]() |
24-28(W/m·K)
滿足常規(guī)散熱 |
170-200(W/m·K)
高功率首選 |
80-90(W/m·K)
平衡之選 |
![]() |
7.2-8.0X10 -6 /℃
需要注意CTE差 |
4.5-5.5X10 -6 /℃
近芯片CTE |
3.0-3.5X10 -6 /℃
近芯片CTE |
![]() |
300-400MPa
基礎防護 |
300-400MPa
需結構加強 |
600-800MPa
抗沖擊專家 |
![]() |
經濟型方案 | 性能優(yōu)先選擇 | 特殊場景專用 |
技術維度 | 捷多邦能力 | 行業(yè)價值 |
---|---|---|
精密線路 | 4/4mil極限精度
±0.05mm公差 |
提升高密度設計自由度20%+ |
板厚覆蓋 | 0.38-2.0mm全系支持
支持混壓結構 |
適應超薄穿戴設備到重工業(yè)模塊全場景 |
精密線路 | 4/4mil極限精度
±0.05mm公差 |
提升高密度設計自由度20%+ |
微孔加工 | 0.2mm激光孔
8:1縱橫比(行業(yè)平均5:1) |
實現更緊湊的3D封裝設計 |
表面處理 | 6種方案可選
(含專利抗氧化沉金工藝) |
焊接良率提升至99.6% |
銅厚定制 | 0.5-3.0OZ靈活配置
支持局部增厚 |
大電流承載能力提升3倍 |
IGBT功率模塊封裝,提升散熱效率30%+,主用于電控系統(tǒng)/充電樁功率模塊
高電壓隔離需求,保障長期穩(wěn)定運行,變頻器、伺服驅動器等高溫場景
5G射頻功放散熱解決方案
COB封裝基板,延長燈具壽命
極端溫度環(huán)境下的可靠表現