1.特性
1)適用于圖形電鍍金屬抗蝕層,如鍍覆金、鎳、錫鉛合金,錫鎳合金及錫的印制板的蝕刻。
2)蝕刻速率快,側(cè)蝕小,溶銅能力高,蝕刻速率容易控制。
3)蝕刻液可以連續(xù)再生循環(huán)使用,成本低。
2.蝕刻過程中的主要化學(xué)反應(yīng)
在氯化銅溶液中加入氨水,發(fā)生絡(luò)合反應(yīng):
CuCl2+4NH3 →Cu(NH3)4Cl2
在蝕刻過程中,板面上的銅被[Cu(NH3)4]2+絡(luò)離子氧化,其蝕刻反應(yīng)如下:
Cu(NH3)4Cl2+Cu →2Cu(NH3)2Cl
所生成的[Cu(NH3)2]1+為Cu1+的絡(luò)離子,不具有蝕刻能力。在有過量NH3和Cl-的情況下,能很快地被空氣中的O2所氧化,生成具有蝕刻能力的[Cu(NH3)4]2+絡(luò)離子,其再生反應(yīng)如下:
2Cu(NH3)2Cl+2NH4Cl+2NH3+1/2 O2 →2Cu(NH3)4Cl2+H2O
從上述反應(yīng)可看出,每蝕刻1克分子銅需要消耗2克分子氨和2克分子氯化銨。因此,在蝕刻過程中,隨著銅的溶解,應(yīng)不斷補(bǔ)加氨水和氯化銨。
應(yīng)用堿性蝕刻液進(jìn)行蝕刻的典型工藝流程如下:
鍍覆金屬抗蝕層的印制板(金、鎳、錫鉛、錫、錫鎳等鍍層) →去膜→水洗→吹干→檢查修板→堿性蝕刻→用不含Cu2+的補(bǔ)加液二次蝕刻→水洗→檢查→浸亮(可選擇) →水洗→吹干
3. 蝕刻液配方
蝕刻液配方有多種,1979年版的印制電路手冊(cè)(Printed Circuits Handbook)中介紹的配方見表。
國外介紹的堿性蝕刻液配方
組份 |
1
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2
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3
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NH3·H2O NH4Cl Cu2+ NaClO2 NH4HCO3 (NH4)3PO4 NH4NO3 |
3.0克分子/升 1.5-0 - 10.375 0-1.5 - 0-1.5
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6.0克分子/升 5.0 2.0(僅起始液) - - 0.01 -
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2-6克分子/升 1-4.0 0.1-0.6 - - 0.05-0.5 -
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國內(nèi)目前大多采用下列配方: CuCl2·2H2O 100~150g/l 、NH4Cl 100g/l 、NH3·H2O 670~700ml/12
配制后溶液PH值在9.6左右。溶液中各組份的作用如下:
NH3·H2O的作用是作為絡(luò)合劑,使銅保持在溶液里。
NH4Cl的作用是能提高蝕刻速率、溶銅能力和溶液的穩(wěn)定性。
(NH4)3PO4的作用是能保持抗蝕鍍層及孔內(nèi)清潔。
4.影響蝕刻速率的因素
蝕刻液中的Cu2+的濃度、PH值、氯化銨濃度以及蝕刻液的溫度對(duì)蝕刻速率均有影響。掌握這些因素的影響才能控制溶液,使之始終保持恒定的最佳蝕刻狀態(tài),從而得到好的蝕刻質(zhì)量。
Cu2+濃度的影響
因?yàn)镃u2+是氧化劑,所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明:在0-11盎司/加侖時(shí),蝕刻時(shí)間長;在11-16盎司/加侖時(shí),蝕刻速率較低,且溶液控制困難;在18-22盎司/加侖時(shí),蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定;在22-30盎司/加侖時(shí),溶液不穩(wěn)定,趨向于產(chǎn)生沉淀。
注:1加侖(美制)=3.785升 1盎司= 28.35克1盎司/加侖=28.35/3.785=7.5G/1
在自動(dòng)控制蝕刻系統(tǒng)中,銅濃度是用比重控制的。在印制板的蝕刻過程中,隨著銅的不斷溶解,溶液的比重不斷升高,當(dāng)比重超過一定值時(shí),自動(dòng)補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液,調(diào)整比重到合適的范圍。一般比重控制在18~240Be’。
溶液PH值的影響
蝕刻液的PH值應(yīng)保持在8.0~8.8之間。當(dāng)PH值降到8.0以下時(shí),一方面是對(duì)金屬抗蝕層不利。另一方面,蝕刻液中的銅不能被完全絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子,溶液要出現(xiàn)沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀。這些泥狀沉淀能在加熱器上結(jié)成硬皮,可能損壞加熱器,還會(huì)堵塞泵和噴嘴,給蝕刻造成困難,如果溶液PH值過高,蝕刻液中氨過飽和,游離氨釋放到大氣中,導(dǎo)致環(huán)境污染。另一方面,溶液的PH值增大也會(huì)增大側(cè)蝕的程度,而影響蝕刻的精度。
氯化銨含量的影響
通過蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出:[Cu(NH3)2]1+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在。如果溶液中缺乏NH4Cl,而使大量的[Cu(NH3)2]1+得不到再生,蝕刻速率就會(huì)降低,以至失去蝕刻能力。所以,氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進(jìn)行,要不斷補(bǔ)加氯化銨。但是,溶液中Cl-含量過高會(huì)引起抗蝕層被浸蝕。一般蝕刻液中NH4Cl含量在150g/l左右。
溫度的影響
蝕刻速率與溫度有很大關(guān)系,蝕刻速率隨著溫度的升高而加快。
蝕刻液溫度低于40℃,蝕刻速率很慢,而蝕刻速率過慢會(huì)增大側(cè)蝕量,影響蝕刻質(zhì)量。溫度高于60℃,蝕刻速率明顯增大。但NH3的揮發(fā)量也大大增加,導(dǎo)致污染環(huán)境并使蝕刻液中化學(xué)組份比例失調(diào)。故一般應(yīng)控制在45℃~55℃為宜。
5. 蝕刻液的調(diào)整
自動(dòng)控制調(diào)整
隨著蝕刻的進(jìn)行,蝕刻液中銅含量不斷增加,比重逐漸升高,當(dāng)蝕刻液中銅濃度達(dá)到一定高度時(shí)就要及時(shí)調(diào)整。在自動(dòng)控制補(bǔ)加裝置中,是利用比重控制器控制蝕刻液的比重。當(dāng)比重升高時(shí),自動(dòng)排放比重過高的溶液,并添加新的補(bǔ)加液,使蝕刻液的比重調(diào)整到允許的范圍。補(bǔ)加液要事先配制好,放入補(bǔ)加桶內(nèi),使補(bǔ)加桶的液面保持在一定的高度。
專賣的蝕刻鹽品種很多,其補(bǔ)加液的配制方法大同小異。下面僅介紹一種:
華美CP21蝕刻鹽補(bǔ)加液的配制方法
蝕刻鹽 255g/l PH值 9.8 氨水(26%) 450ml/l 比重 1.03
水 450ml/l
人工調(diào)整
方法一:首先在蝕刻液冷卻、靜置情況下,取樣分析清液中的銅濃度,然后根據(jù)分析結(jié)果,確定廢液的排放量。排放量可按下式計(jì)算:
排放量=(分析值-規(guī)定值)/分析值 *總體積
式中:排放量-從蝕刻槽中排出廢液的體積(l)
分析值-由化學(xué)分析得出的銅含量(g/l)
規(guī)定值-配方中規(guī)定的銅含量(g/l)
總體積-蝕刻槽中蝕刻液的體積(l)
原則上是排放多少體積的廢液就補(bǔ)加多少體積的補(bǔ)加液。
方法二:上述1升補(bǔ)加液可蝕銅約150~165g銅??山y(tǒng)計(jì)生產(chǎn)中蝕刻銅的量,當(dāng)達(dá)到這個(gè)范圍時(shí),放去20%之工作液,補(bǔ)充新的補(bǔ)加液到相同體積。
6. 蝕刻過程中常出現(xiàn)的問題
蝕刻速率降低
這個(gè)問題與許多因素有關(guān)。要檢查蝕刻條件,例如:溫度,噴淋壓力,溶液比重、PH值和氯化銨的含量等,使之達(dá)到適宜的范圍。
蝕刻溶液中出現(xiàn)沉淀
由于氨的含量過低(PH值降低),或用水稀釋等原因造成的。溶液比重過大也會(huì)造成沉淀。
抗蝕鍍層被浸蝕
蝕刻液PH值過低或Cl-含量過高造成的。
銅表面發(fā)黑,蝕刻不動(dòng)
蝕刻液中NH4Cl的含量過低造成的。